Samsung объявила о разработке 24-гигабитных чипов DDR5 — они позволят создавать модули памяти на 768 Гбайт

31.07.2021
0
236
Компания Samsung на минувшем собрании, посвящённом подведению итогов второго квартала текущего года сообщила, что ведёт разработку 24-гигабитных чипов памяти DDR5. В теории это позволит производить для серверного сегмента модули памяти объёмом до 768 Гбайт.

«В ответ на запросы наших партнёров из сегмента облачных вычислений мы также разрабатываем 24-гигабитные чипы памяти DDR5», — указал один из руководителей компании в ходе выступления, стенограмма которого опубликована порталом SeekingAlpha.

В прошлом компания уже демонстрировала модуль памяти RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из 32 чипов памяти объёмом по 16 Гбайт (каждый состоит из восьми слоёв по 16 Гбит). Используя 24-гигабитную память в составе восьмислойной сборки (8-Hi) Samsung может увеличить объём одного стека памяти до 24 Гбайт, а общий объём 32-чипового модуля — до 768 Гбайт. В таком случае серверная система, предлагающая поддержку восьмиканальной памяти (по два модуля на канал) теоретически может быть оснащена свыше 12 Тбайт ОЗУ стандарта DDR5. Для сравнения, заявленные возможности текущего поколения процессоров Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP) предлагают установку только до 6 Тбайт памяти DRAM.

Дополнительно для серверного сегмента Samsung может начать производство модулей памяти объёмом 96, 192 или 384 Гбайт. Для рынка потребительской оперативной памяти использование 24-гигабитных чипов вместо 16-гигабитных может означать появление модулей памяти с увеличенным на 50 % объёмом. В таком случае в продаже можно будет встреть модули памяти DDR5 объёмом 24 и 48 Гбайт. Однако компания добавила, что подобные решения вряд ли появятся в ближайшее время, поскольку сейчас основной упор делается на производство 16-гигабитных чипов DRAM.
шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
28.04.2021
По данным издания IT Home, китайская компания Asgard приступила к разработке комплектов оперативной памяти DRR5 с частотой 5600 МГц и общим объёмом 64 и 128 Гбайт.
26.03.2021
Компания Samsung сообщила, что разработала первые в индустрии модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 Гбайт, использующие технологию HKMG
19.11.2018
Компания SK Hynix сообщила об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5. Они, как утверждается, соответствуют требованиям комитета JEDEC. Их начнут производить в 2020 году.
26.03.2018
Samsung Electronics на этой неделе показала модуль памяти объёмом 64 Гбайт на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит. Продемонстрированный RDIMM предназначен для серверов общего назначения, но позже в этом году указанные чипы памяти будут использованы для
Наши партнеры:
выбрать фон