Hynix представила чипы для памяти DDR5
Компания SK Hynix сообщила об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5. Они, как утверждается, соответствуют требованиям комитета JEDEC. Их начнут производить в 2020 году.По данным компании, скорость передачи у микросхем DDR5 составляет 5200 Мбит/с на контакт, напряжение — 1,1 В. Для сравнения, скорость памяти DDR4 в максимуме составляет 3200 Мбит/с, хотя это характерно лишь для топовых комплектов.
Также в Hynix представили первый модуль RDIMM DDR5-5200 на основе новых чипов. Его пропускная способность — 41,6 Гбайт/с. Такой показатель на DDR4 возможен лишь в случае экстремального разгона. При этом планки уже отправлены некоему «крупному производителю чипсетов», что позволит разработать новый тип платформ с поддержкой памяти DDR5.
Напомним, что ранее та же Hynix сообщила о разработке 10-нанометровых чипов для памяти DDR4 со скоростью в 3200 Мбит/с.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
14.05.2018
Вывод на рынок оперативной памяти нового поколения — DDR5 — ожидается в следующем году, после того как летом JEDEC утвердит финальную спецификацию соответствующего стандарта, а разработчики и производители RAM предоставят клиентам микросхемы и
28.09.2017
Хотя организация JEDEC обещает опубликовать окончательную версию спецификаций DDR5 только в 2018 году, Rambus ведёт разработку памяти DRAM нового поколения в своих лабораториях. Представители компании заявили, что у Rambus уже готовы первые
08.10.2014
Компания Kingmax сообщила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR4, рассчитанных на использование в системах на процессорах Intel. В представленную линейку входят решения с частотой 1866, 2133, 2400 и 3200 МГц. Напряжение
08.05.2014
Компания SK Hynix продемонстрировала первый модуль оперативной памяти DDR4, объем которого составляет 128 ГБ. Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.
