SK hynix представит в феврале память HBM3 с пропускной способностью до 896 Гбайт/с и новые скоростные чипы GDDR6

19.01.2022
0
114
Южнокорейская компания SK hynix примет участие в ежегодной международной конференции ISSCC 2022, в ходе которой расскажет о последнем обновлении спецификаций разрабатываемой ею памяти HBM3. Кроме того, производитель микросхем памяти собирается поделиться деталями о новых чипах GDDR6 со скоростью 27 Гбит/с.

Детали предстоящего мероприятия пока неизвестны, однако названия сессий подтверждают, о чём планирует рассказать компания. В октябре прошлого года SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 со скоростью до 819 Гбайт/с. В ходе февральской конференции ISSCC 2022 производитель расскажет о новых спецификациях HBM3, обладающей пропускной способностью до 896 Гбайт/с. Повысить пропускную способность помогла технология автоматической калибровки сборки Through Silicon Via (TSV), разработанная с помощью алгоритмов машинного обучения. На данный момент неизвестно, идёт ли речь лишь о прототипе технологии производства или же SK hynix на самом деле собирается массово выпускать подобные чипы памяти.

Память HBM3 от SK hynix в первой версии спецификаций предлагала скорость передачи данных до 5,2 Гбит/с на контакт (665 Гбайт/с для всего модуля памяти). Однако спустя несколько месяцев производитель представил вторую спецификацию с повышенной на 23 %, до 6,4 Гбит/с скоростью передачи на данных на контакт или 819 Гбайт/с на весь стек. В тех чипах, о которых SK hynix расскажет в феврале, скорость передачи повысили до 7 Гбит/с на контакт, то есть на 10 % сверх октябрьских значений.

На конференции производитель также расскажет о новых чипах памяти GDDR6 с пропускной способностью 27 Гбит/с, ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт) и новыми технологиями Merged-MUX TX, Optimized WCK Operation и Alternative Data-Bus.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
19.08.2021
Компания Rambus представила полностью интегрированное решение для подсистем памяти HBM3. Этот стандарт ещё не утверждён комитетом JEDEC, хотя черновик готов и разработчики могут создавать контроллеры.
13.08.2019
Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E, вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях.
10.02.2015
Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом
18.12.2014
Ожидающиеся графические карты могут получить дополнительное преимущество благодаря новейшим микросхемам памяти GDDR5, которые могут работать на скорости передачи данных 8 Гбит/с. С большой долей вероятности такие графические карты появятся уже в
выбрать фон