SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью

13.08.2019
0
26
Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E, вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях. Скорость обмена данными составляет 460 ГБ/сек (при наличии 1024-битного интерфейса). Начало производства запланировано на 2020 год.

Как отмечается, такая память должна будет использоваться в системах искусственного интеллекта и машинного обучения, ресурсоёмких вычислениях и топовых графических ускорителях. Как утверждается, карты такого типа получат до 64 ГБ vRAM с пропускной способностью в 1840 ГБ/с. Очевидно, что такие ресурсы потребуются и в системах виртуальной реальности.

Напомним, что в начале года компания принялась за разработку ещё и оперативной памяти нового типа. Речь идёт о DDR6, хотя пока на рынке не появилась ещё и DDR5. Производство тоже запланировано на 2020 год.

Таким образом, можно ожидать резкого ускорения компьютеров, систем виртуальной реальности и искусственного интеллекта. Хотя это потребует разработки и новых процессоров. А что вы думаете о новой видеопамяти Hynix? Пишите в комментариях.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
19.11.2018
Компания SK Hynix сообщила об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5. Они, как утверждается, соответствуют требованиям комитета JEDEC. Их начнут производить в 2020 году.
12.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем памяти HBM2 второго поколения объёмом 8 ГБ, под кодовым названием Aquabolt. Чипы работают при напряжении 1,2 В и обеспечивают в полтора раза большую производительность по сравнению
25.04.2017
Компания SK Hynix представила 8-гигабитные микросхемы памяти GDDR6, они придут на смену GDDR5 и GDDR5X и станут альтернативой HBM и HBM2. Чипы будут выпускаться по технологии 2Znm — так производитель называет техпроцесс 20-нанометрового класса.
18.12.2014
Ожидающиеся графические карты могут получить дополнительное преимущество благодаря новейшим микросхемам памяти GDDR5, которые могут работать на скорости передачи данных 8 Гбит/с. С большой долей вероятности такие графические карты появятся уже в
выбрать фон