Samsung готовит выпуск сверхбыстрой памяти HBM2E

05.02.2020
0
697
В марте прошлого года Samsung анонсировала новый тип памяти — HBM2E третьего поколения под названием Flashbolt. Теперь же производитель сообщил о скором начале выпуска. Память предназначается для суперкомпьютеров, систем машинного обучения и искусственного интеллекта, а также графических ускорителей. Производство стартует в первом полугодии.

Из особенностей Flashbolt отметим увеличение объёма памяти в расчёте на стек. Теперь на подложке собраны восемь чипов DRAM плотностью по 16 Гбит. То есть объём составляет 16 ГБ.

Скорость передачи данных на контакт составляет 4,2 Гбит/сек, пропускная способность всего стека — 538 ГБ/сек. Для сравнения, у второго поколения Aquabolt показатель был в 1,75 раза меньше.

К слову, параметры памяти превосходят ранее установленные требования JEDEC. Там говорилось о скорости в 3,2 Гбит/сек на контакт и пропускной способности в 410 ГБ/сек. Важно отметить, что именно маркировки HBM2E нет в документах JEDEC. Так в Samsung называют память HBM2 и её модификации.

Также отметим, что такие модули превосходят GDDR6, однако, очевидно, будут дороже, хотя пока что не сообщается, когда выйдут готовые решения с такой памятью. Не исключено, что HBM2E третьего поколения появится в новых картах AMD Big Navi.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
13.08.2019
Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E, вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях.
19.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит. Чипы выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса (диапазон от 10 до 19 нм) и предназначены для использования в графических
12.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем памяти HBM2 второго поколения объёмом 8 ГБ, под кодовым названием Aquabolt. Чипы работают при напряжении 1,2 В и обеспечивают в полтора раза большую производительность по сравнению
13.11.2017
Samsung готова начать производство микросхем памяти GDDR6 для графических ускорителей следующего поколения уже в начале 2018 года. Компания отметила, что чипы GDDR6 удостоились награды CES 2018 Innovation Awards и обязательно появятся на крупнейшей
Наши партнеры:
выбрать фон