Samsung начала производить микросхемы памяти LPDDR5 на 12 Гбит для смартфонов

19.07.2019
0
417
Корпорация Samsung объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит. Это первый подобный случай в отрасли, а сами микросхемы предназначены для топовых смартфонов.

В компании утверждают, что новая память «оптимизирована для того, чтобы сделать возможной поддержку 5G и функций ИИ в будущих смартфонах». Модули памяти на основе микросхем начнут производить уже в июле. А до конца года ожидается появление микросхем с плотностью 16 Гбит.

Новая память обеспечивает передачу данных со скоростью 5500 Мбит/сек. Это примерно в 1,3 раза больше, чем у LPDDR4X (4266 Мбит/сек). Также обещано уменьшение энергопотребления на треть.

Пока что не заявлено, какие смартфоны получат новую память, но, скорее всего, это будут поначалу фирменные флагманы. Хотя не исключено, что первыми на рынок выйдут и китайские топовые модели.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
07.03.2019
Компания Samsung сообщила о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM. Полупроводниковый гигант намерен производить микросхемы eMRAM для микроконтроллеров, устройств «интернета вещей», систем искусственного интеллекта и так далее.
19.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит. Чипы выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса (диапазон от 10 до 19 нм) и предназначены для использования в графических
12.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем памяти HBM2 второго поколения объёмом 8 ГБ, под кодовым названием Aquabolt. Чипы работают при напряжении 1,2 В и обеспечивают в полтора раза большую производительность по сравнению
12.08.2015
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в
Наши партнеры:
выбрать фон