Samsung запускает массовое производство памяти MRAM

07.03.2019
0
406
Компания Samsung сообщила о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM. Полупроводниковый гигант намерен производить микросхемы eMRAM для микроконтроллеров, устройств «интернета вещей», систем искусственного интеллекта и так далее.

Как ожидается, новая память придёт на смену встраиваемой флэш-памяти eFlash и обеспечит ряд преимуществ. В частности, eMRAM не нужно стирать перед записью, что ускоряет процесс примерно в тысячу раз. Кроме того, новая память работает при более низком напряжении, а также не требует регенерации записанных данных.

Сами микросхемы будут производиться по 28-нанометровой технологии FD-SOI. Утверждается, что до конца этого года ёмкость одной микросхемы вырастет до 1 ГБ. Отметим, что ранее Intel заявила о готовности начать производство магниторезистивной оперативной памяти STT-MRAM по техпроцессу FinFET с размером транзистора в 22 нанометра. Таким образом, в ближайшие годы возможно появление твердотельных накопителей на новой памяти, а также её внедрение во всех устройствах.

К слову, в Intel пока не сообщают о сроках начала производства и поставок новой памяти. Очевидно, что Samsung в данном случае сыграла на опережение.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
12.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем памяти HBM2 второго поколения объёмом 8 ГБ, под кодовым названием Aquabolt. Чипы работают при напряжении 1,2 В и обеспечивают в полтора раза большую производительность по сравнению
11.12.2017
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли флеш-модулей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения.
13.11.2017
Samsung готова начать производство микросхем памяти GDDR6 для графических ускорителей следующего поколения уже в начале 2018 года. Компания отметила, что чипы GDDR6 удостоились награды CES 2018 Innovation Awards и обязательно появятся на крупнейшей
12.08.2015
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в
Наши партнеры:
выбрать фон