Памяти много не бывает: SK Hynix показала модули ОЗУ DDR5-4800 на 64 ГБ
Компания SK Hynix выпустила свои первые чипы памяти DDR5 ещё несколько лет назад. Но готовые модули показали только на выставке CES 2020. Это означает, что разработка идёт по плану, а коммерческие решения могут выйти уже скоро.В Лас-Вегасе была представлена 64-гигабайтная версия DDR5 RDIMM с системой коррекции ошибок ECC. Модуль, обозначенный как HMCA8GR8MJR4C-EB, содержит 20 микросхем памяти H5CNAG4NMJ. Новинка обеспечивает скорость передачи данных до 4800 МТ/с. Помимо чипов памяти, на плате есть драйвер тактовых сигналов регистра.
Модуль памяти располагает 288 контактами, как и память DDR4, но его компоновка и дизайн немного отличаются, чтобы не перепутать.
Пока что не сообщается, когда новые модули выйдут на рынок, но, скорее всего, их массового распространения не стоит ждать ранее 2021 года. Одной из платформ с поддержкой «пятёрки» стала Intel Xeon Sapphire Rapids, которая используется в суперкомпьютере Aurora. Сроки появления поддержки DDR5 для процессоров AMD пока не уточняется.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
19.11.2018
Компания SK Hynix сообщила об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5. Они, как утверждается, соответствуют требованиям комитета JEDEC. Их начнут производить в 2020 году.
14.05.2018
Вывод на рынок оперативной памяти нового поколения — DDR5 — ожидается в следующем году, после того как летом JEDEC утвердит финальную спецификацию соответствующего стандарта, а разработчики и производители RAM предоставят клиентам микросхемы и
28.09.2017
Хотя организация JEDEC обещает опубликовать окончательную версию спецификаций DDR5 только в 2018 году, Rambus ведёт разработку памяти DRAM нового поколения в своих лабораториях. Представители компании заявили, что у Rambus уже готовы первые
08.05.2014
Компания SK Hynix продемонстрировала первый модуль оперативной памяти DDR4, объем которого составляет 128 ГБ. Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.
