Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND

07.08.2019
0
29
Компания Toshiba Memory сообщила о начале выпуска новой памяти для твердотельных устройств XL-FLASH. Это флэш-память BiCS FLASH 3D, в которой каждая ячейка хранит один бит. Новинка отличается низкими задержками и высокой производительностью. Первые образцы поступят партнёрам компании в сентябре, а массовое производство стартует в будущем году.

Как отмечается, XL-FLASH превосходит обычную флэш-память NAND по производительности и вроде бы устраняет разрыв между NAND и DRAM. Дело в том, что первый тип дешевле, но медленнее оперативной. XL-FLASH же располагается между ними, в том числе по уровню цены.
Новая память базируется на кристаллах плотностью 128 Гбит, а микросхема может включать два, четыре или восемь кристаллов.

Предполагается, что первыми накопителями с новой памятью станут SSD, но затем могут появиться и NVDIMM — модули, подключённые к шине DRAM.

Что касается известных параметров, то новинке приписывают размер страницы в 4 КБ (это повышает скорость чтения и записи), а также задержку не более 5 микросекунд, что на порядок меньше, чем у TLC NAND. Правда, количество циклов перезаписи пока не уточняется, а это весьма важный параметр для флэш-памяти.

Напомним, что ранее Intel представила универсальные модули памяти Optane DC для серверов. Они позиционируются в качестве гибридных решений для дата-центров и сочетают в себе преимущества модулей ОЗУ и твердотельной памяти.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
17.07.2019
Подразделение TrendForce под названием DRAMeXchange сообщает, что в обозримой перспективе цены на память DRAM и NAND Flash продолжат снижение. При этом авария на заводе Toshiba и проблемы с поставками трёх базовых материалов для производства
13.08.2015
Японская компания ADTEC совместно с американской компанией Diablo Technologies представила энергонезависимые модули памяти DDR4 стандарта NVDIMM ёмкостью 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт. Пожалуй, на сегодня это самые ёмкие модули подобной
30.07.2015
Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel. По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка
27.03.2015
Компании Micron и Intel только что представили флэш-память типа NAND с объемной компоновкой. В этой памяти используются ячейки с плавающим затвором, способные хранить в каждой ячейке два или три бита информации.
выбрать фон