Samsung выпустила модули памяти объёмом 512 ГБ для смартфонов
Компания Samsung объявила о начале производства первых в мире модулей флэш-памяти eUFS, объём которых достигает 512 ГБ. В основе накопителей, предназначенных для флагманских смартфонов и планшетов, лежат восемь шестидесятичетырёхслойных 512-гигабитных чипов V-NAND.Максимальная скорость последовательного чтения накопителей составляет 860 МБ/с, скорость записи — 255 МБ/с. Как утверждает Samsung, по этим показателям модули eUFS в восемь раз превосходят обычные карты памяти micro-SD. Производительность при операциях чтения и записи блоками по 4 КБ с произвольным доступом достигает 42 000 IOPS и 40 000 IOPS соответственно. Объём в 512 ГБ позволит хранить на мобильном устройстве около ста тридцати видеороликов длительностью по 10 минут каждый в разрешении Ultra HD (3840х2160 точек).
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
21.11.2017
Компания Samsung опубликовала технические характеристики твердотельного накопителя SZ985 с памятью Z-NAND, который должен составить конкуренцию Intel Optane (3D XPoint). Объём SSD достигает 800 ГБ, и его можно противопоставить недавно анонсированной
05.09.2017
Компания SanDisk анонсировала карту памяти SanDisk Ultra micro-SDXC UHS-I, которая предназначена для смартфонов, планшетов, квадрокоптеров и прочих мобильных гаджетов. Объём накопителя достигает 400 ГБ, что позволяет сохранить около сорока часов
26.02.2016
Сегодня компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых накопителей объемом 256 ГБ, соответствующих спецификации UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Эти накопители предназначены для следующего
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.
