Samsung представляет 10-нм модули оперативной памяти LPDDR4 объёмом 6 ГБ

15.06.2016
0
144
Samsung представляет 10-нм модули оперативной памяти LPDDR4 объёмом 6 ГБЕщё три года назад наличие 1 ГБ оперативной памяти в мобильных устройствах было общепринятым стандартом. Сегодня флагманские устройства оснащены 4 ГБ, а некоторые и 6 ГБ "оперативки".

Поддержать эту тенденцию решила и компания Samsung, представившая на выставке Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне новый модуль памяти типа LPDDR4 объёмом 6 ГБ, который выполнен по 10-нм техпроцессу. Благодаря уменьшению размеров транзисторов, новые чипы должны потреблять меньше энергии, что положительно скажется на автономности устройств, в которых они будут использоваться.

Больший объём оперативной памяти позволяет запускать более ресурсоёмкие приложения, а также удерживать большее число задач в фоновом режиме, не перезагружая их при повторном запуске. Ожидается, что в первую очередь новые чипы появятся в топовых устройствах от Samsung, а потом и в девайсах других производителей.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
06.06.2015
Компании ARM и Samsung официально объявили о подписании долгосрочного соглашения по использованию южнокорейским гигантом графических технологий ARM. Речь идёт о графических чипах нового поколения серии Mali, куда вошли Mali-T820, T830, T860 и
02.05.2015
Смартфоны Samsung Galaxy S6 и S6 Edge, анонсированные в начале марта на выставке MWC 2015, получили одну из самых мощных на сегодняшний день аппаратных конфигураций, что было подтверждено многочисленными синтетическими тестами. Однако в условиях
10.02.2015
Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом
08.05.2014
Компания SK Hynix продемонстрировала первый модуль оперативной памяти DDR4, объем которого составляет 128 ГБ. Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.
выбрать фон